Разделы сайта
Наш опрос
Как вам этот сайт?
Полезные материалы
10  
Метки и теги

Новости сайта
Спаммерские атаки
  • 16 июнь
  • Здравствуйте, уважаемые! Нас долгое время не было, а тут такое... Спаммеры, коих мильёны, дошли и до нас. Наплодили кучу профилей с ссылками.
    В новом году мы будем больше!
  • 2 январь
  • В 2011 году планируется залить на сайт несколько тысяч книг и журналов, тысячи радиолюбительских схем и конструкций, кучу полезных программ и прочего!
    С Новым годом!
  • 1 январь
  • Дорогие читатели, с Новым годом вас! Всех благ и успехов во всех начинаниях! Ура!!! Будем радовать вас максимум полезной информации!
    Журналы Радио
  • 29 декабрь
  • На сайте началась загрузка журналов "Радио" от 1946 года до 2010. Каждый пост будет содержать журналы за конкретный год.
    Наполняемся мало помалу...
  • 23 декабрь
  • Первым делом я решил залить на сайт научно-технической периодической литературы (журналы и книги).
    Архив новостей
    Поиск даташитов
    Например TDA7294

    ТРАНЗИСТОР — УСИЛИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР

    Практикум пятый

    ТРАНЗИСТОР — УСИЛИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР

     

    Транзистор является трехэлектродным полупроводни­ковым прибором. Его основой (базой), как и у полупро-водникового диода, которому был посвящен третий прак­тикум, служит пластинка полупроводника, но в объеме этого полупроводника искусственно созданы две проти­воположные ему по - электропроводности области (рис. 26). Пластинка полупроводника и две области в ней образуют два р-n перехода. Если две крайние области обладают электропроводностью R-типа, а пластинка электропроводностью n-типа, такой транзистор имеет структуру р-n(рис. 26, а). Если, наоборот, электро­проводность крайних областей «-типа, а пластинки — р-типа, такой транзистор имеет структуру n-р-n (рис. 26, б).

    Независимо от структуры транзистора, саму пластин­ку полупроводника называют базой (б), крайнюю об­ласть меньшего объема — эмиттером (э), другую край­нюю область большего объема — коллектором (к). Пе­реход между эмиттером и базой называют эмиттерным, между коллектором и базой — коллекторным.

    Условные изображения на схемах транзисторов раз­ных структур отличаются только тем, что стрелка, обо­значающая эмиттер, у транзистора структуры р-nоб­ращена в сторону базы, а у транзистора структуры n-р-n от базы. Стрелка эмиттера символизирует направ­ление тока через транзистор.

    У начинающих радиолюбителей наибольшей популяр­ностью пользуются транзисторы структуры р-n-р. Такую структуру имеют, например, низкочастотные маломощ­ные транзисторы серий МП39...МП42. Для этого прак­тикума можно использовать любой из транзисторов этих серий.

    Переходы транзистора — диоды. Транзистор можно представить себе как два включенных встречно диода, совмещенных в одной пластинке полупроводника и имеющих один общий катод, роль которого выполняет база транзистора. В этом нетрудно убедиться на опыте.

    Между коллектором и базой транзистора включи со­единенные последовательно батарею 3336Л и лампочку накаливания, рассчитанную на напряжение 2,5 В и ток 0,15 А. Если плюс источника напряжения соединен базой, а минус с коллектором, то лампочка гореть не будет (рис. 27), При другой полярности напряжения источника питания лампочка должна гореть.

    В первом случае постоянное напряжение подается на коллекторный переход в обратном, то есть непропускном направлении. В это время коллекторный р-n переход за­крыт, его сопротивление велико и через него, как и че­рез закрытый диод, течет незначительный обратный ток, именуемый в данном случае обратным током коллекто­ра Iкo. У исправного транзистора серий МП39...МП42 об­ратный ток коллектора не превышает, как правило, 20...30 мкА. Такой ток не может накалить нить лампочки. При втором включении батареи ее напряжение подано на коллекторный переход в прямом, то есть пропускном, на-правлении переход открыт и через него течет прямой ток коллектора Iк, сила которого определяется в основ­ном сопротивлением нити лампочки и внутренним сопро­тивлением источника питания.

    Проведи аналогичный опыт с эмиттерным р-n перехо­дом. Результат будет таким же: при обратном напряже­нии переход будет закрыт, при прямом — открыт.

    Различают два основных режима работы транзисто­ра: режим переключения, именуемый иногда ключевым, и режим усиления.

    Транзистор в режиме переключения. Опыт, иллюст­рирующий работу транзистора в таком режиме, проводи по схеме, показанной на рис. 28. Между эмиттером и коллектором транзистора V включи последовательно со­единенные батарею GB (3336Л), выключатель 5 (тумб­лер) и ту же лампочку накаливания (2,5 ВХО,15 А). Они образуют коллекторную цепь транзистора. Положитель­ный электрод батареи должен быть соединен с эмитте-ром, а отрицательный — с коллектором (через выключа­тель и лампочку). Замкни проволочной перемычкой ба­зу с эмиттером (на схеме рис. 28 показано штриховой линией) и включи питание. Лампочка, включенная в кол­лекторную цепь транзистора, не горит. Удали перемычку и на некоторое время включи между этими электродами транзистора последовательно соединенные один гальванический элемент 332 (G) и резистор (Rб) сопротивлением 100...200 Ом, но так, чтобы минус элемента был об­ращен к базе, а плюс к эмиттеру. Лампочка го­рит, хотя, возможно, не­ярко. Поменяй местами полярность элемента. Те­перь лампочка не горит. Повтори этот опыт не­сколько .раз, и ты убе­дишься в том, что лам­почка в коллекторной це­пи горит только тогда, когда на базе относитель­но эмиттера бывает отри­цательное напряжение.

    В первом из этих опы­тов, когда ты, соединив перемычкой базу с эмит­тером, замкнул накорот­ко эмиттерный переход, транзистор стал просто диодом, на который по­давалось обратное, за­крывающее его напряжение. Через него шел лишь не­значительный неуправляемый обратный ток коллектор­ного перехода. Транзистор находился в закрытом со­стоянии.

    Удалив перемычку, ты восстановил эмиттерный пере­ход. Первым включением элемента на базу было подано небольшое постоянное напряжение Uб в прямом для эмиттерного перехода направлении. Эмиттерный переход открылся, через него пошел прямой ток, который открыл второй переход транзистора — коллекторный. Транзистор оказался открытым, и по цепи эмиттер — база — коллек­тор пошел ток транзистора, который значительно больше тока в цепи эмиттер — база. Он и накалил нить лам­почки.

    Когда ты изменил полярность включения элемейта на обратную, положительное напряжение Uб закрыло эмиттерный переход, а вместе с ним закрылся и коллек­торный переход. При этом ток через транзистор почти прекратился, и лампочка не горела.

    В этих опытах транзистор был в одном из двух со­стояний: открытом или закрытом. Переключение тран­зистора из одного состояния в другое происходило под действием тока в цепи эмиттер — база, создаваемого напряжением на базе. Это и есть режим переключения. Такой режим работы транзистора широко используют, в частности, в аппаратуре электронной автоматики.

    Измерь миллиамперметром токи базовой и коллек­торной цепей транзистора. Ток в базовой цепи может быть несколько миллиампер, а в коллекторной дости­гать 80...100 мА. Значит, можно сделать вывод: относи­тельно небольшой ток базы управляет значительным то­ком коллекторной цепи транзистора. Транзистор, следо­вательно, усиливает ток.

    Усилительные свойства транзистора характеризуются статическим коэффициентом передачи тока базы h21Э (читают так: аш-два-один-Э). Большая буква Э в обозна­чении говорит о том, что при измерении этого парамет­ра транзистор включают по так называемой схеме с об­щим эмиттером. Практически можно считать, что коэф­фициент h21Э равен частному от деления тока коллекто­ра Iк на ток базы Iб, то есть

    Если, например, ток коллектора в 50 раз больше то­ка базы, то можно считать, что статический коэффициент передачи тока этого транзистора равен приблизительно 50. Обычно в радиолюбительских конструкциях усилите­лей или приемников используют транзисторы с коэффи­циентом Ii2ia от 30...40 до 80...100. Чем он больше, тем, естественно, транзистор может дать большее усиление сигнала.

    Какова в проведенных опытах роль резистора R$? Ограничивать ток базы и тем самым предотвращать теп­ловой пробой эмиттерного перехода. Вообще же во вре­мя этих опытов транзистор работал при базовом и кол­лекторном токах, превышающих допустимые. Длитель­ное использование маломощного транзистора при таких токах может привести к выходу его из строя.

    Транзистор в режиме уси­ления. Для иллюстрации ра­боты транзистора в этом ре­жиме проведи следующую серию опытов с тем же транзистором. Первый опыт проиллюстрирован на рис. 29. Это простейший одно-транзисторный усилитель низкой частоты (НЧ). Зажи­мы слева («Вход»), ку­да подводится усиливаемый низкочастотный сигнал, яв­ляются входом, а участок коллекторной цепи транзис­тора, в которую включена нагрузка — телефоны BI — выходом усилителя НЧ.

    Между базой транзисто­ра и минусовым проводни­ком батареи GB, питающей усилитель, включи резистор Re, сопротивление которого подбери опытным путем (что на схемах обозначают звездочкой). Через него на базу должно подаваться не­большое, около 0,1...0,15 В, начальное отрицательное на­пряжение, именуемое смещением. Напряжение смеще­ния создает в базовой цепи ток, приоткрывающий тран­зистор. Резистором Rб устанавливают исходный ток кол­лектора IК| соответствующий работе транзистора в ре­жиме усиления. Без смещения транзистор будет иска­жать усиливаемый сигнал.

    Конденсатор Сраз на входе усилителя является разде­лительным элементом: не оказывая заметного сопротив­ления колебаниям НЧ, то есть электрическим колебани­ям звукового диапазона, он в то же время должен пре­пятствовать замыканию постоянной составляющей базо­вой цепи транзистора на плюсовой проводник батареи питания через источник усиливаемого сигнала. Роль раз­делительного, или связывающего элемента, может вы­полнять электролитический конденсатор любого типа (ЭМ, К50-3, К50-6) емкостью 5... 10 мкФ на номинальное напряжение 6...10 В.

    Транзистор V, базовый резистор Rб и электролити­ческий конденсатор Сраз смонтируй на пластинке из кар­тона или сухой фанеры (см. рис, 29 внизу) размерами примерно 60X120 мм. На свободном месте этой мон­тажной платы позже можно будет смонтировать второй каскад усиления колебаний низкой частоты.

    Желательно, чтобы головные телефоны В1, включае­мые в коллекторную» цепь транзистора, были низкоомны-ми (например, ТА-56), с катушками электромагнитов со­противлением постоянному току 60...120 Ом. Можно так­же использовать телефонный капсюль ДЭМ-4М, включив его, как и телефоны, непосредственно в коллекторную цепь транзистора.

    Обрати особое внимание на полярность включения электролитического конденсатора Сраз: отрицательной обкладкой он должен быть соединен с базой, где отно­сительно эмиттера действует наибольшее (0,1...0,2 В) от­рицательное напряжение смещения, открывающее тран­зистор, а положительной обкладкой — с эмиттером (че­рез источник усиливаемого сигнала).

    Проверь монтаж — нет ли ошибок. Если монтаж вы­полнен точно по принципиальной схеме усилителя, то включи в коллекторную цепь транзистора миллиампер­метр (на схеме эта точка обозначена крестом), подключи батарею и, подбирая резистор Rб, установи в коллектор­ной цели ток покоя, равный 1...2 мА. Если ток меньше рекомендуемого, то в базовую цепь включай резистор меньшего сопротивления, если, наоборот, больше, — ре­зистор большего сопротивления. Вообще же, чем боль­ше коэффициент H21Э транзистора, тем больше должно быть сопротивление базового резистора.

    Затем подай на вход усилителя низкочастотный сиг­нал, источником которого может быть, например, або­нентский громкоговоритель .(на рис. 29 — В2), который можно использовать как электродинамический микро­фон. Если говорить перед таким «микрофоном», то создаваемые им колебания звуковой частоты будут уси­ливаться транзистором, а телефоны, включенные в кол­лекторную цепь, преобразовывать их в звук.

    Чтобы лучше ощутить эффект усиления, подключи этот источник низкочастотного сигнала сначала непосред­ственно к телефонам, выключив предварительно питание, !

    а затем вновь ко входу усилителя. Разница в громкости звучания телефонов должна быть значительной.

    На вход усилителя можно включить звукосниматель (прибор, преобразующий механические колебания иглы в электрические колебания) и проиграть грампластин­ку — в телефонах на выходе усилителя будут слышны достаточно громкие звуки мелодии или голос певца, за­писанные на грампластинку.

    Отключи временно резистор Re, от базы или минусо­вого проводника источника питания. Как теперь звучат телефоны? Тише и, кроме того, со значительными иска­жениями звука. Так и должно быть, так как транзистор работает без смещения. В этом случае эмиттерный пе­реход транзистора открывается только при отрицатель­ных полупериодах входного сигнала, а при положитель­ных полупериодах он остается закрытым. Отсюда и иска­жения.

    На предыдущем практикуме, посвященном колеба­тельному контуру, ты сделал детекторный приемник. Те­перь, пользуясь рис. 30, добавь к нему усилитель низ­кой частоты. Здесь резистор RH сопротивлением 10...12 кОм, заменивший головные телефоны детектор­ного приемника, выполняет роль нагрузки детектора VI. Создающиеся на нем колебания низкой частоты через разделительный конденсатор Сраз поступают на вход уси­лителя.

    Обрати внимание на включение диода VI, выполняю­щего роль детектора: катодом он соединен с колеба­тельным контуром, а анодом — с нагрузочным резисто­ром.

    Теперь телефоны звучат значительно громче, чем в детекторном приемнике.

    В этих опытах на вход усилителя подавалось переменное напряжение низкой частоты, источником которого были: в первом опыте — электродинамическая головка абонентского громкоговорителя, преобразующая звуко­вые колебания в электрические, во втором — выходная цепь детекторного приемника. Эта переменное напряже­ние Uб (см. графики на рис. 29) создавало в цепи эмит­тер — база слабый переменный ток, управляющий значительно большим током коллектора IК: при отрица­тельных полупериодах на базе коллекторный ток увели­чивался, при положительных — уменьшался. Происходило усиление, а усиленный сигнал преобразовывался теле­фонами в звуковые колебания. Транзистор работал в ре­жиме усиления.

    В опытах этого практикума использовался транзистор структуры р-n-р. Аналогичные опыты можно провести и с маломощными транзисторами структуры n-р-n, напри­мер, серий МП35...МП38, КТ315. В этом случае надо толь­ко изменить полярность включения источника питания и электролитического конденсатора. Запомни; коллектор транзистора структуры n-р-n должен соединяться через нагрузку с плюсом, а эмиттер — с минусом источника пи­тания.

    В заключение — коротко о способах включения тран­зистора. Во всех опытах этого практикума, кроме самого первого, транзистор был включен по схеме с общим эмиттером. Усиливаемый сигнал подводился к выводам базы и эмиттера, а усиленный сигнал снимался с участка цепи между выводами эмиттера и коллектора. Эмиттер, таким образом, был общим для входной и выходной це­пей транзистооа. Отсюда и название способа включения транзистора: с общим эмиттером, оно особенно распро­странено в радиолюбительской практике.



    Другие статьи по теме: